随着硅负极电池加速渗透消费电子市场，帝奥以及AI算力驱动光模块功耗持续攀升，布D步升电源管理芯片正面临前所未有的压转性能考验。近日，换器帝奥微正式推出了一款集成旁路模式的切入同步升压转换器DIO61390，最大输出电流达到10A，硅负在3.3V转3.4V的极电典型工况下效率高达97.7%，在同等芯片面积下输出电流较同类产品提升一倍，池光填补了国内大电流高效率升压转换器领域的模块空白。

硅负极电池倒逼电源架构升级

近两年，赛道硅负极电池成为手机和快充领域的帝奥热门方向。与传统石墨负极相比，布D步升硅负极电池的压转标称电压更低，通常在3.4V左右，换器满电电压也不过4.2V出头。切入这意味着留给升压转换器的压差非常小，往往只有零点几伏。在这么窄的电压窗口里还要提供大电流，对芯片的拓扑设计和控制精度要求极高，稍有不慎效率就会大幅下滑。

与此同时，平板电脑、折叠屏手机的峰值供电需求普遍超过5A，而AI数据中心的光模块单路供电电流也在快速增长。传统升压芯片在5A以上就开始力不从心，要么效率掉得厉害，要么芯片面积太大塞不进紧凑的主板。市场迫切需要一款能在小压差下稳定输出大电流、同时保持高效率的产品。

DIO61390的核心竞争力

帝奥微DIO61390正是针对上述痛点设计的。它是一款集成了Bypass旁路模式的同步升压转换器，核心亮点有几个方面。

首先是电流能力。DIO61390最大输出电流达到10A，而且这个数字是在与竞品相当的芯片面积下实现的，功率密度优势明显。对于手机主板这种寸土寸金的应用场景来说，更小的芯片面积意味着更多的布局灵活性，也意味着散热设计可以更简单。

其次是效率。在3.3V转3.4V这个硅负极电池最典型的工作条件下，DIO61390的峰值效率达到97.7%。这得益于其集成的Bypass旁路模式——当输入电压接近或高于输出电压时，芯片会自动切换到旁路直通状态，跳过升压开关动作，几乎零损耗供电。这一设计在电池从满电到亏电的整个放电周期中都能发挥作用，因为硅负极电池的电压变化范围本身就很窄，旁路模式的覆盖时间远比传统方案更长。

此外，芯片在瞬态响应方面也做了优化。现在的智能终端负载跳变非常剧烈，AI推理、5G射频突发、屏幕刷新率切换都可能在微秒级内让电流从几百毫安飙到十几安培。如果电源芯片跟不上，输出电压就会跌落，轻则触发系统保护，重则导致死机或掉帧。DIO61390的环路响应速度足以应对这类快速负载变化，这一点对于光模块这类对电源纹波极其敏感的应用尤其重要。

从帝奥微公布的信息来看，DIO61390主要瞄准三个方向。一是搭载硅负极电池的智能手机和平板电脑，10A电流和97.7%的效率可以直接转化为更长的续航和更低的发热。二是光模块的二次电源管理，AI算力的爆发让光模块功耗水涨船高，对转换效率和瞬态响应的要求也水涨船高。三是快充和电池管理系统，Bypass模式可以实现充电时升压、满电时直通的智能切换，减少不必要的能量损耗。

在大电流高效率同步升压转换器这个细分市场，长期以来主要是TI、ADI、MPS等国际厂商的天下。国内厂商虽然在中低电流段已经有不少布局，但在10A级别、同时集成Bypass功能的产品上几乎是空白。DIO61390的推出，无论从性能指标还是从国产供应链安全的角度来看，都有不小的意义。

当然，一颗芯片从发布到大规模量产出货、再到终端客户验证导入，还需要时间。但至少从产品定义和参数来看，帝奥微这次确实拿出了一款有竞争力的东西。在电源管理芯片这个国产替代的关键赛道上，又多了一个值得关注的玩家。